FRAM Infineon FM24VN10-G, 8 pines, SOIC-8, Serie I2C, 1 MB, 128k x 8 bit, 3.6 V, 2 V

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Código RS:
273-7382
Nº ref. fabric.:
FM24VN10-G
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

1MB

Tipo de producto

FRAM

Organización

128k x 8 bit

Tipo de interfaz

Serie I2C

Ancho del bus de datos

8bit

Frecuencia del reloj máxima

3.4MHz

Encapsulado

SOIC-8

Número de pines

8

Certificaciones y estándares

RoHS

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación mínima

2V

Estándar de automoción

No

Número de palabras

128k

Temperatura de Funcionamiento Mínima

40°C

La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 1 Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de transmitir datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

Conformidad con RoHS

Bajo consumo de potencia

Interfaz serial rápida de 2 cables

Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras

Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

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