AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V10-G, 8 pines, SOIC, SPI, 1 MB, 128K x 8 bit, 18 ns, 3.6 V, 2 V

Código RS:: 124-2988
Nº ref. fabric.:: FM25V10-G
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V10-G, 8 pines, SOIC, SPI, 1 MB, 128K x 8 bit, 18 ns, 3.6 V, 2 V

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Código RS:: 124-2988
Nº ref. fabric.:: FM25V10-G
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	1MB
	Tipo de producto	FRAM
	Tipo de interfaz	SPI
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	18ns
	Frecuencia del reloj máxima	40MHZ
	Tipo de montaje	Superficie
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Altura	1.47mm
	Longitud	4.97mm
	Certificaciones y estándares	No
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Número de bits por palabra	8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión de alimentación mínima	2V
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Número de palabras	128k

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 1MB
	Tipo de producto FRAM
	Tipo de interfaz SPI
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 18ns
	Frecuencia del reloj máxima 40MHZ
	Tipo de montaje Superficie
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Altura 1.47mm
	Longitud 4.97mm
	Certificaciones y estándares No
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Número de bits por palabra 8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión de alimentación mínima 2V
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Número de palabras 128k

FM25V10-G Datasheet

Memoria Fram Infineon, tamaño de memoria 1Mbit, organización 128K x 8 Bit - FM25V10-G

Esta memoria FRAM está diseñada para soluciones de almacenamiento de datos de alta velocidad, con un tamaño de memoria de 1 Mbit, organizado como 128K x 8 bits. Gracias a la tecnología de montaje en superficie, facilita la integración en diversos sistemas electrónicos. Sus dimensiones compactas de 4,97 mm x 3,98 mm x 1,47 mm ofrecen versatilidad para aplicaciones en espacios reducidos.

Características y ventajas

• Las operaciones de escritura rápidas y sin retrasos aumentan la eficacia

• Admite una interfaz SPI de hasta 40 MHz para acceder a la memoria a alta velocidad

• Cumple la norma AEC-Q100, lo que garantiza la fiabilidad de las soluciones de memoria para automoción

• La protección avanzada contra escritura evita la modificación accidental de datos

Aplicaciones

• Integrado en sistemas de control de automóviles para el registro de datos

• Utilizado en la automatización industrial para la recogida rápida de datos

• Ideal para dispositivos médicos que requieren almacenamiento no volátil

• Se utiliza en electrónica de consumo para mejorar el rendimiento

• Se utiliza en dispositivos IoT para una retención de memoria fiable

¿Qué ventajas ofrece esta memoria para las aplicaciones industriales?

La capacidad de realizar operaciones de escritura rápida a la velocidad del bus garantiza que los datos se puedan capturar rápidamente en entornos industriales, lo que reduce el riesgo de pérdida de datos en situaciones en las que el tiempo es un factor importante. Su robusta resistencia a la escritura de 100 billones de ciclos facilita aún más el registro frecuente de datos.

¿Cómo es su consumo de energía en comparación con las soluciones de memoria tradicionales?

Funciona eficientemente, consumiendo sólo 300μA cuando está activo y tan bajo como 5μA en modo de espera. Este bajo consumo lo hace ideal para dispositivos que funcionan con pilas o aplicaciones en las que la eficiencia energética es fundamental.

¿Qué ventajas ofrecen las funciones de protección integradas?

El sofisticado mecanismo de protección contra escritura incluye controles tanto de hardware como de software, lo que impide las escrituras involuntarias y garantiza que los datos críticos permanezcan a salvo de cambios accidentales, algo esencial en los sistemas de misión crítica.