Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo 8 Gb, 1024 x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:
188-2567
Nº ref. fabric.:
W29N08GZBIBA
Fabricante:
Winbond
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Marca

Winbond

Tamaño de la memoria

8Gb

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

VFBGA

Número de pines

63

Frecuencia del reloj máxima

40MHZ

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NAND SLC

Tensión de alimentación máxima

1.95V

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Altura

0.6mm

Longitud

11.1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de bits por palabra

8

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Estándar de automoción

No

Serie

W29N08GZ

Número de palabras

1024K

Density : 8Gbit (2 chip stacked solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8/x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 8G-bit/1G-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 35ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for Block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 13mA(typ.)

Program/Erase: 13mA(typ.)

CMOS standby: 20uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

8Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

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