Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, CFI 16 MB, 2M x 8 bits, 70 ns, TSOP, 48 pines

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Código RS:
193-8786
Nº ref. fabric.:
S29AL016J70TFI013
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Memoria flash

Tamaño de la memoria

16MB

Tipo de interfaz

CFI

Encapsulado

TSOP

Número de pines

48

Organización

2M x 8 bits

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Tipo de temporización

Asíncrono

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Anchura

12mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

12mm

Altura

1.05mm

Número de palabras

2M

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de acceso aleatorio máximo

70ns

Número de bits por palabra

8

Serie

S29AL016J

Corriente de suministro

12mA

El S29AL016J es una memoria Flash de 16 Mbit y 3.0 voltios organizada como 2.097.152 bytes o 1.048.576 palabras. El dispositivo se ofrece en paquetes BGA de paso fino de 48 bolas (paso de 0.8 mm), BGA fortificada de 64 bolas (paso de 1.0 mm) y TSOP de 48 patillas. Los datos de ancho de palabra (x16) aparecen en DQ15–DQ0, los datos de ancho de byte (x8) aparecen en DQ7–DQ0. Este dispositivo está diseñado para ser programado en el sistema con el suministro VCC de 3.0 voltios del sistema estándar. No se requiere un VPP de 12.0 V o un VCC de 5.0 V para operaciones de escritura o borrado. El dispositivo también se puede programar en programadores EPROM estándar.

El dispositivo ofrece un tiempo de acceso de 55 ns que permite que los microprocesadores de alta velocidad funcionen sin estados de espera. Para eliminar la contención de bus, el dispositivo tiene controles independientes de habilitación de chip (CE#), habilitación de escritura (WE#) y habilitación de salida (OE#).

La programación del dispositivo se produce ejecutando la secuencia de comandos del programa. Esto inicia el algoritmo del programa incrustado un algoritmo interno que automáticamente times los anchos de pulso del programa y verifica el margen de celda correcto. El modo de omisión de desbloqueo facilita faster programming times al requerir sólo dos ciclos de escritura para programar datos en lugar de cuatro.

El borrado del dispositivo se produce ejecutando la secuencia de comandos ERASE. Esto inicia el algoritmo de borrado incorporado un algoritmo interno que preprograma automáticamente la matriz (si no está ya programada) antes de ejecutar la operación de borrado. Durante el borrado, el dispositivo activa automáticamente los anchos de pulso de borrado y verifica el margen de celda correcto. El sistema host puede detectar si un programa o operación de borrado se ha completado observando el pin RY/BY# o leyendo los bits de estado DQ7(Sondeo de Data#) y DQ6 (conmutador). Una vez completado un programa o ciclo de borrado, el dispositivo está listo para leer datos de matriz o aceptar otro comando.

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