MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.795,00 €

(exc. IVA)

2.172,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,718 €1.795,00 €

*precio indicativo

Código RS:
151-446
Nº ref. fabric.:
STS1DNC45
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Doble N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

450V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Contorno estándar para un montaje en superficie automatizado sencillo

Carga de puerta minimizada

Enlaces relacionados