MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STGAP2SICSNC, VDSS 1.7 kV, ID 4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 152-180
- Nº ref. fabric.:
- STGAP2SICSNC
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 152-180
- Nº ref. fabric.:
- STGAP2SICSNC
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.7kV | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | STGAP2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1GΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.7kV | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie STGAP2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1GΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
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