MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1700 V, ID 7 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
212-2091
Nº ref. fabric.:
SCT1000N170
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1700V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT1000N170

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.66Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Tensión directa Vf

4.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Anchura

20.15 mm

Estándar de automoción

No

SiC MOSFET


STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 propio, permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada.

Rendimiento de conmutación de alta velocidad

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacitancias bajas

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