MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 201-0859
- Nº ref. fabric.:
- SCTW35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
383,58 €
(exc. IVA)
464,13 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 840 Envío desde el 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 12,786 € | 383,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 201-0859
- Nº ref. fabric.:
- SCTW35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCTW35 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 14.8mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCTW35 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 14.8mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Mejora de 3 pines
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Mejora de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 3 pines