MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines
- Código RS:
- 201-0859
- Nº ref. fabric.:
- SCTW35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
961 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 30)
11,888 €
(exc. IVA)
14,384 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 11,888 € | 356,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 201-0859
- Nº ref. fabric.:
- SCTW35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Baja capacitancia
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 45 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | SCTW35 |
| Tipo de Encapsulado | HiP247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,045 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Material del transistor | SiC |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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