Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 204-3959
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-3959
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.072Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 41.2mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.072Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 41.2mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de MOSFET de SiC de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la resistencia de conexión y las pérdidas de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.
Baja capacitancia
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
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