Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
204-3959
Nº ref. fabric.:
SCTWA35N65G2V
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.072Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.9mm

Altura

41.2mm

Anchura

5.1 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de MOSFET de SiC de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la resistencia de conexión y las pérdidas de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Baja capacitancia

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura

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