MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

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Código RS:
233-0472
Nº ref. fabric.:
SCTWA35N65G2V-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Anchura

21.1 mm

Altura

5.1mm

Longitud

20.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidades bajas

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

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