MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 213-3945
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
33,92 €
(exc. IVA)
41,04 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 4 | 33,92 € |
5 - 9 | 32,22 € |
10 - 24 | 29,00 € |
25 + | 28,83 € |
- Código RS:
- 213-3945
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 119 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | HiP247-4 |
Serie | SCTWA90N65G2V-4 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.024 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Material del transistor | SiC |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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