MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines

Código RS:: 213-3943
Nº ref. fabric.:: SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

30,148 €

(exc. IVA)

36,479 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	30,148 €	904,44 €

*precio indicativo

Código RS:: 213-3943
Nº ref. fabric.:: SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTWA90N65G2V-4

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	119 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	SCTWA90N65G2V-4
Tipo de Encapsulado	HiP247-4
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.024 O
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	SiC

MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados