MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

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Código RS:
213-3943
Nº ref. fabric.:
SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCTWA90N65G2V-4

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

656W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

5.1mm

Anchura

21.1 mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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