MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018W65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, HIP-247-3 de 3 pines
- Código RS:
- 719-468
- Nº ref. fabric.:
- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
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- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HIP-247-3 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 398W | |
| Tensión directa Vf | 2.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HIP-247-3 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 398W | ||
Tensión directa Vf 2.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas
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