Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Código RS:: 202-5487
Nº ref. fabric.:: SCTW35N65G2VAG
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

11,739 €

(exc. IVA)

14,204 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	11,739 €	352,17 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5487
Nº ref. fabric.:: SCTW35N65G2VAG
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTW35N65G2VAG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	HiP247
Serie	SCT
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,055 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	SiC

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

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