MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5487
Nº ref. fabric.:
SCTW35N65G2VAG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.055Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

15.75mm

Altura

34.95mm

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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