MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5487
Nº ref. fabric.:
SCTW35N65G2VAG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.055Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

3.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

34.95mm

Anchura

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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