MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STS10N3LH5, VDSS 30 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 719-621
- Nº ref. fabric.:
- STS10N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 719-621
- Nº ref. fabric.:
- STS10N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STS | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STS | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
La tecnología STripFETTMV Power MOSFET de STMicroelectronics se encuentra entre las últimas mejoras, que se han diseñado especialmente para lograr una resistencia de estado encendido muy baja que también proporciona uno de los mejores FOM de su clase.
RDS(on) de resistencia encendida muy baja
Carga de puerta de conmutación muy baja
Alta robustez ante avalanchas
Bajas pérdidas de potencia de accionamiento de puerta
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