MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STS10N3LH5, VDSS 30 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
719-621
Nº ref. fabric.:
STS10N3LH5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

STS

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.021Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

La tecnología STripFETTMV Power MOSFET de STMicroelectronics se encuentra entre las últimas mejoras, que se han diseñado especialmente para lograr una resistencia de estado encendido muy baja que también proporciona uno de los mejores FOM de su clase.

RDS(on) de resistencia encendida muy baja

Carga de puerta de conmutación muy baja

Alta robustez ante avalanchas

Bajas pérdidas de potencia de accionamiento de puerta

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