MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STS10N3LH5, VDSS 30 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 719-621
- Nº ref. fabric.:
- STS10N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-621
- Nº ref. fabric.:
- STS10N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STS | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STS | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||