MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-900
Nº ref. fabric.:
STD4NK80ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.6 mm

Altura

2.4mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protegido por Zener

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