MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
188-8289
Nº ref. fabric.:
STD5N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.73Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.17mm

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

Zener-protected

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