MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.440,00 €

(exc. IVA)

1.742,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,576 €1.440,00 €

*precio indicativo

Código RS:
165-8015
Nº ref. fabric.:
IPD80R1K0CEATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
MY

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 5,7 A, disipación de potencia máxima de 83 W - IPD80R1K0CEATMA1


Este MOSFET ofrece soluciones para la gestión de potencia y la electrónica general, aprovechando la avanzada tecnología CoolMOS CE con capacidades de alta tensión de hasta 800 V. Presenta una alta eficiencia y una baja resistencia en estado encendido, lo que optimiza el diseño al tiempo que mejora la fiabilidad.

Características y ventajas


• La mayor densidad de potencia permite diseñar sistemas más compactos

• La reducción de las necesidades de refrigeración supone un ahorro de costes para los sistemas

• Las bajas temperaturas de funcionamiento aumentan la fiabilidad del sistema

• Alta capacidad de corriente de pico para aplicaciones exigentes

• El fiable valor nominal dv/dt garantiza la estabilidad en caso de cambios rápidos de tensión

• Cumple la normativa RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente

Aplicaciones


• Se utiliza en soluciones de iluminación LED para instalaciones de reequipamiento

• Adecuado para la topología flyback QR en fuentes de alimentación

• Eficaz en sistemas de distribución de energía para automóviles

• Ideal para diversas aplicaciones industriales de alta tensión

¿Cómo mejora el MOSFET el rendimiento del sistema en la gestión de la energía?


Mejora la densidad de potencia y reduce los requisitos térmicos, lo que se traduce en una mayor eficiencia y menores pérdidas de energía durante el funcionamiento.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este dispositivo en aplicaciones de iluminación LED?


Ofrece un rendimiento fiable con una menor generación de calor, lo que contribuye a la longevidad y estabilidad de los sistemas de iluminación.

¿Es compatible con aplicaciones de alta frecuencia?


Sí, su baja carga de puerta y su elevada capacidad de corriente de pico lo hacen apto para operaciones de alta frecuencia, garantizando unas pérdidas de conmutación mínimas.

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima de este dispositivo?


La corriente de drenaje continua máxima es de 5,7 A, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones de alto consumo.

¿A qué temperatura puede funcionar?


Funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, ofreciendo versatilidad en distintos entornos.

Enlaces relacionados