MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9050
Nº ref. fabric.:
IPD80R3K3P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

18W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

La Infineon más reciente serie 800V CoolMOS P7 establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, como resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de más de 18 años de Infineon. Son fáciles de manejar y de poner en paralelo, lo que permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en listas de materiales y costes de montaje más bajos. Se recomiendan para topologías de conmutación de retorno de conexión dura y suave para iluminación LED, cargadores y adaptadores de baja potencia, audio, alimentación auxiliar y alimentación industrial.

Se suministra con una cartera totalmente optimizada

Protección ESD de diodo Zener integrada

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