MOSFET Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 168-5917
Nº ref. fabric.:: IPD80R1K4P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,371 €

(exc. IVA)

0,449 €

(inc.IVA)

2470 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 - 2500	0,371 €	927,50 €
5000 +	0,353 €	882,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-5917
Nº ref. fabric.:: IPD80R1K4P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPD80R1K4P7, MOSFET 800V CoolMOS P7 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,4 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	32 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.22mm
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	0.9V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.41mm

MOSFET Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

MOSFET de potencia CoolMOS™P7 de Infineon