MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
219-5992
Nº ref. fabric.:
IPD80R600P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 800V V Infineon es una solución perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura de MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de listas de materiales y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

Fácil de manejar y diseñar

Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menor rendimiento en campo

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar los diseños

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