MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4674
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4674
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
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