MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
229-1831
Nº ref. fabric.:
IPD50N08S413ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

72W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N Infineon tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

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