MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N08S413ATMA1, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1833
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N08S413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*
15,525 €
(exc. IVA)
18,78 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9900 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,035 € | 15,53 € |
| 75 - 135 | 0,984 € | 14,76 € |
| 150 - 360 | 0,943 € | 14,15 € |
| 375 - 735 | 0,901 € | 13,52 € |
| 750 + | 0,839 € | 12,59 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1833
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N08S413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N Infineon tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
