MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 39 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
168-8750
Nº ref. fabric.:
IRLR2908TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

39A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 39 A, disipación de potencia máxima de 120 W - IRLR2908TRPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer versatilidad y eficiencia en diversas aplicaciones que exigen un control preciso de la corriente, especialmente en entornos con limitaciones de espacio. Gracias a su tecnología HEXFET, mantiene un rendimiento eficaz a altas temperaturas, lo que la convierte en una opción adecuada para los sistemas electrónicos y eléctricos contemporáneos. Su capacidad para gestionar una importante disipación de energía mientras funciona en condiciones difíciles le añade relevancia.

Características y ventajas


• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 39 A para aplicaciones de carga exigentes

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 80 V para una mayor fiabilidad

• Baja resistencia a la conexión de 30mΩ para mejorar la eficiencia energética

• Funciona a altas temperaturas de hasta +175°C para entornos rigurosos

• El diseño de montaje en superficie facilita la instalación y el montaje

• El modo de mejora ofrece un control mejorado para circuitos variados

Aplicaciones


• Empleado en circuitos de alimentación para una conmutación eficaz

• Adecuado para el control de motores que requieren una regulación precisa de la corriente

• Utilizados en sistemas de automoción para una gestión eficiente de la energía

• Ideal para circuitos de conmutación de alta frecuencia para mejorar la eficiencia

• Adoptado en sistemas de automatización industrial para un rendimiento superior

¿Cuáles son las características térmicas de este componente?


La resistencia térmica entre la unión y la carcasa es de aproximadamente 1,3 °C/W, lo que favorece una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento, esencial para mantener un rendimiento y una fiabilidad óptimos.

¿Cómo me aseguro de que la instalación es correcta para obtener un rendimiento óptimo?


Es importante seguir unas directrices de diseño de placas de circuito impreso adecuadas, centrándose especialmente en minimizar la inductancia y maximizar el contacto térmico con el sustrato para evitar el sobrecalentamiento durante el funcionamiento.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?


Sí, puede soportar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 150 A, lo que permite gestionar condiciones transitorias sin comprometer la integridad del dispositivo.

¿Qué importancia tiene el valor RDS(on) en las operaciones?


El bajo valor RDS(on) de 30mΩ es importante ya que reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, mejorando la eficiencia y el rendimiento general del circuito.

¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta a la funcionalidad?


Con una tensión umbral de entre 1V y 2,5V, permite un control preciso, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones electrónicas que requieren una conmutación precisa.

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