MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9027
Nº ref. fabric.:
IPD082N10N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito). Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Las aplicaciones potenciales incluyen amplificadores de audio de clase D, convertidores dc-dc aislados, etc.

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino

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