MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9029
- Nº ref. fabric.:
- IPD082N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,48 €
(exc. IVA)
11,47 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 30 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 4580 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,948 € | 9,48 € |
| 50 - 90 | 0,901 € | 9,01 € |
| 100 - 240 | 0,863 € | 8,63 € |
| 250 - 490 | 0,824 € | 8,24 € |
| 500 + | 0,768 € | 7,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9029
- Nº ref. fabric.:
- IPD082N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito). Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Las aplicaciones potenciales incluyen amplificadores de audio de clase D, convertidores dc-dc aislados, etc.
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines