MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 830-3354
Nº ref. fabric.:: IRLR2908TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 830-3354
Nº ref. fabric.:: IRLR2908TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 39 A, disipación de potencia máxima de 120 W - IRLR2908TRPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer versatilidad y eficiencia en diversas aplicaciones que exigen un control preciso de la corriente, especialmente en entornos con limitaciones de espacio. Gracias a su tecnología HEXFET, mantiene un rendimiento eficaz a altas temperaturas, lo que la convierte en una opción adecuada para los sistemas electrónicos y eléctricos contemporáneos. Su capacidad para gestionar una importante disipación de energía mientras funciona en condiciones difíciles le añade relevancia.

Características y ventajas

• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 39 A para aplicaciones de carga exigentes
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 80 V para una mayor fiabilidad
• Baja resistencia a la conexión de 30mΩ para mejorar la eficiencia energética
• Funciona a altas temperaturas de hasta +175°C para entornos rigurosos
• El diseño de montaje en superficie facilita la instalación y el montaje
• El modo de mejora ofrece un control mejorado para circuitos variados

Aplicaciones

• Empleado en circuitos de alimentación para una conmutación eficaz
• Adecuado para el control de motores que requieren una regulación precisa de la corriente
• Utilizados en sistemas de automoción para una gestión eficiente de la energía
• Ideal para circuitos de conmutación de alta frecuencia para mejorar la eficiencia
• Adoptado en sistemas de automatización industrial para un rendimiento superior

¿Cuáles son las características térmicas de este componente?

La resistencia térmica entre la unión y la carcasa es de aproximadamente 1,3 °C/W, lo que favorece una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento, esencial para mantener un rendimiento y una fiabilidad óptimos.

¿Cómo me aseguro de que la instalación es correcta para obtener un rendimiento óptimo?

Es importante seguir unas directrices de diseño de placas de circuito impreso adecuadas, centrándose especialmente en minimizar la inductancia y maximizar el contacto térmico con el sustrato para evitar el sobrecalentamiento durante el funcionamiento.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?

Sí, puede soportar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 150 A, lo que permite gestionar condiciones transitorias sin comprometer la integridad del dispositivo.

¿Qué importancia tiene el valor RDS(on) en las operaciones?

El bajo valor RDS(on) de 30mΩ es importante ya que reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, mejorando la eficiencia y el rendimiento general del circuito.

¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta a la funcionalidad?

Con una tensión umbral de entre 1V y 2,5V, permite un control preciso, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones electrónicas que requieren una conmutación precisa.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	30 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	120 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 4,5 V
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	6.22mm
Material del transistor	Si
Altura	2.39mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C