MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R3K3P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9051
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,546 € | 13,65 € |
| 125 - 225 | 0,519 € | 12,98 € |
| 250 - 600 | 0,497 € | 12,43 € |
| 625 - 1225 | 0,476 € | 11,90 € |
| 1250 + | 0,442 € | 11,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9051
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 18W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 18W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon más reciente serie 800V CoolMOS P7 establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, como resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de más de 18 años de Infineon. Son fáciles de manejar y de poner en paralelo, lo que permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en listas de materiales y costes de montaje más bajos. Se recomiendan para topologías de conmutación de retorno de conexión dura y suave para iluminación LED, cargadores y adaptadores de baja potencia, audio, alimentación auxiliar y alimentación industrial.
Se suministra con una cartera totalmente optimizada
Protección ESD de diodo Zener integrada
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