MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4478
Nº ref. fabric.:
SPD02N80C3ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC1

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon Cool MOS utiliza la nueva tecnología revolucionaria de alta tensión y tiene una alta capacidad de corriente de Peak.

Tiene una carga de puerta ultrabaja

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