MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SPD02N80C3ATMA1, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4479
Número de artículo Distrelec:
304-39-428
Nº ref. fabric.:
SPD02N80C3ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC1

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon Cool MOS utiliza la nueva tecnología revolucionaria de alta tensión y tiene una alta capacidad de corriente de Peak.

Tiene una carga de puerta ultrabaja

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