MOSFET Infineon SPD02N80C3ATMA1, VDSS 800 V, ID 2 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 214-4479
- Nº ref. fabric.:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 15)
0,893 €
(exc. IVA)
1,081 €
(inc.IVA)
4920 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,893 € | 13,395 € |
| 75 - 135 | 0,847 € | 12,705 € |
| 150 - 360 | 0,812 € | 12,18 € |
| 375 - 735 | 0,777 € | 11,655 € |
| 750 + | 0,723 € | 10,845 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4479
- Nº ref. fabric.:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Este MOSFET Infineon Cool MOS utiliza la nueva tecnología revolucionaria de alta tensión y tiene una alta capacidad de corriente de Peak.
Tiene una carga de puerta ultrabaja
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2.7 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.9V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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