MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-906
Nº ref. fabric.:
STD12NF06LT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET II

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Anchura

6.6 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics, está específicamente diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para su uso como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicaciones e informáticas, y aplicaciones con requisitos de conducción de baja carga de puerta.

Excepcional capacidad dv/dt

100% a prueba de avalanchas

Baja carga de puerta

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