MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD12NF06T4, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-938
- Nº ref. fabric.:
- STD12NF06T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (20 unidades, en cinta de 20)*
21,80 €
(exc. IVA)
26,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 980 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 1,09 € | 21,80 € |
| 200 - 480 | 0,939 € | 18,78 € |
| 500 + | 0,737 € | 14,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-938
- Nº ref. fabric.:
- STD12NF06T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones e informática.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines