MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 550 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
920-8705
Nº ref. fabric.:
STD18N55M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

MDmesh M5

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

240mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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