MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 14.1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
168-5909
Nº ref. fabric.:
IPD50R380CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.85V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

98W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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