MOSFET Infineon IPD50R380CEAUMA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 130-0897
Nº ref. fabric.:: IPD50R380CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD50R380CEAUMA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

100 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,821 €

(exc. IVA)

0,993 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	0,821 €	8,21 €
50 - 490	0,782 €	7,82 €
500 - 990	0,564 €	5,64 €
1000 - 2490	0,467 €	4,67 €
2500 +	0,456 €	4,56 €

*precio indicativo

Código RS:: 130-0897
Nº ref. fabric.:: IPD50R380CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	14,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	550 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	380 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	98 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	24,8 nC a 10 V
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	0.85V