MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
761-0418
Nº ref. fabric.:
STD18N55M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Encapsulado

TO-252

Serie

MDmesh M5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

240mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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