MOSFET STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 761-0418
Nº ref. fabric.:: STD18N55M5
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad

1,52 €

(exc. IVA)

1,84 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 +	1,52 €

Código RS:: 761-0418
Nº ref. fabric.:: STD18N55M5
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics

El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	550 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	MDmesh M5
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	240 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	90 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+25 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Ancho	6.2mm
Material del transistor	Si
Altura	2.4mm