MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
203-3432
Nº ref. fabric.:
STD18N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

M6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

230mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.6mm

Anchura

2.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

10.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia M6 MDmesh de canal N de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics ha creado la generación anterior de dispositivos MDmesh mediante su nueva tecnología M6. Esto combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Pérdidas de conmutación reducidas

Resistencia de entrada de puerta baja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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