MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4901
Nº ref. fabric.:
IPD60R180C7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD50R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

0.9V

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia.

Permite aumentar la frecuencia de conmutación sin pérdida de eficiencia

Medición que muestra el parámetro clave para la carga ligera y la eficiencia a plena carga

Si se duplica la frecuencia de conmutación, se medirá la mitad del tamaño de los componentes magnéticos

Encapsulados más pequeños para el mismo R DS(on)

Se puede utilizar en muchas más posiciones para topologías de conmutación dura y suave

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