MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
229-1741
Nº ref. fabric.:
AUIRFR5410TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

AUIRF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

205mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.73 mm

Altura

2.39mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.22mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal P Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que se conoce la potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y en una amplia variedad de otras aplicaciones.

No tiene plomo

Cumple con RoHS

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