MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4902
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,608 € | 13,04 € |
| 25 - 45 | 2,294 € | 11,47 € |
| 50 - 120 | 2,138 € | 10,69 € |
| 125 - 245 | 1,982 € | 9,91 € |
| 250 + | 1,852 € | 9,26 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4902
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD50R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD50R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia.
Permite aumentar la frecuencia de conmutación sin pérdida de eficiencia
Medición que muestra el parámetro clave para la carga ligera y la eficiencia a plena carga
Si se duplica la frecuencia de conmutación, se medirá la mitad del tamaño de los componentes magnéticos
Encapsulados más pequeños para el mismo R DS(on)
Se puede utilizar en muchas más posiciones para topologías de conmutación dura y suave
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