MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R190G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 10 pines
- Código RS:
- 222-4904
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,004 € | 15,02 € |
| 25 - 45 | 2,764 € | 13,82 € |
| 50 - 120 | 2,612 € | 13,06 € |
| 125 - 245 | 2,432 € | 12,16 € |
| 250 + | 2,252 € | 11,26 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4904
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 21.11mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 21.11mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Las tecnologías Infineon introducen el doble DPAK (DDPAK), el primer encapsulado de dispositivo de montaje en superficie (SMD) refrigerado por el lado superior para aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas del 600V MOSFET de superunión (SJ) CoolMOS™ G7 de tecnología de alta tensión ya existente se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, que proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación dura de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.
Mayor eficiencia energética
El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar los límites térmicos de PCB
La inductancia de fuente parásita reducida mejora la eficiencia y la facilidad de uso
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Superar los más altos estándares de calidad
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