MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD12NF06T4, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-936
Nº ref. fabric.:
STD12NF06T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET II

Encapsulado

TO-252

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.1Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones e informática.

Capacidad dv/dt excepcional

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja

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