MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB75NF20, VDSS 200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
151-918
Nº ref. fabric.:
STB75NF20
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.034Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

4.6mm

Longitud

15.85mm

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics realizado con el exclusivo proceso STripFET se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.

Capacidad dv/dt excepcional

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja

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