MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB75NF20, VDSS 200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 tira de 2 unidades)*

13,39 €

(exc. IVA)

16,202 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 892 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
2 - 186,695 €13,39 €
20 - 1986,03 €12,06 €
200 +5,56 €11,12 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-920
Nº ref. fabric.:
STB75NF20
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.034Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Longitud

15.85mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics realizado con el exclusivo proceso STripFET se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.

Capacidad dv/dt excepcional

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.