MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN60N80P, VDSS 800 V, ID 53 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
194-350
Número de artículo Distrelec:
302-53-376
Nº ref. fabric.:
IXFN60N80P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

HiperFET, Polar

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

140mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

250nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.04kW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

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