MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN44N80Q3, VDSS 800 V, ID 37 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 168-4753
- Nº ref. fabric.:
- IXFN44N80Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- 168-4753
- Nº ref. fabric.:
- IXFN44N80Q3
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- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 780W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 185nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 780W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 185nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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