MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 194-524
Nº ref. fabric.:: IXFH16N50P
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

15 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

5,50 €

(exc. IVA)

6,66 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	5,50 €
5 - 9	5,17 €
10 - 14	4,94 €
15 - 19	4,57 €
20 +	4,35 €

Código RS:: 194-524
Nº ref. fabric.:: IXFH16N50P
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	400 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Disipación de Potencia Máxima	300000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	43 nC a 10 V
Longitud	16.26mm
Ancho	5.3mm
Material del transistor	Si
Altura	21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C