MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 146-1742
- Nº ref. fabric.:
- IXFH34N50P3
- Fabricante:
- IXYS
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
254,22 €
(exc. IVA)
307,62 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 270 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 8,474 € | 254,22 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 146-1742
- Nº ref. fabric.:
- IXFH34N50P3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 175mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 695W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.3 mm | |
| Altura | 21.46mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 695W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.3 mm | ||
Altura 21.46mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.26mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines