MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 146-1788
Nº ref. fabric.:: IXFH34N65X2
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

230 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

7,003 €

(exc. IVA)

8,474 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	7,003 €	210,09 €

*precio indicativo

Código RS:: 146-1788
Nº ref. fabric.:: IXFH34N65X2
Fabricante:: IXYS

N-ch X2-Class HiPerFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	HiperFET, X2-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.7V
Disipación de Potencia Máxima	540 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	21.45mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	56 nC a 10 V
Longitud	16.24mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	5.3mm
Tensión de diodo directa	1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2